Transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), muito indicado para aplicações PWM ou para circuitos que necessitem de uma alta velocidade de comutação.
O IRF540N possui encapsulamento convencional SOT78 (TO220AB).
Especificações:
Descrição do fabricante | N-channel HEXFET® Power MOSFET |
Documentação | Datasheet IRF540N |
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