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O IRF510 é um transistor MOSFET de canal N amplamente utilizado em projetos de eletrônica de potência, RF e automação. Seu encapsulamento TO-220 facilita a montagem em dissipadores térmicos, sendo ideal para aplicações de chaveamento rápido e controle de cargas de média potência.
Especificações Técnicas:
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Tipo: MOSFET de canal N
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Tensão máxima drenador-fonte (Vds): 100V
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Corrente máxima de dreno (Id): 5,6A
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Resistência RDS(on): 0,54 ohm (máx.)
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Tensão de limiar (Vgs(th)): 2V a 4V
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Dissipação de potência: 43W
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Encapsulamento: TO-220, 3 pinos (Gate, Drain, Source)
Aplicações:
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Fontes chaveadas
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Inversores e conversores DC-DC
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Projetos com Arduino e outros microcontroladores (com driver apropriado)
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Controle de motores DC e cargas resistivas
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Amplificadores de RF em radiofrequência (HF/VHF)
Vantagens:
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Alta velocidade de comutação
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Tensão suportada de até 100V
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Baixa resistência de condução
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Ideal para controle de cargas indutivas e resistivas
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